鈣鈦礦鍍膜設(shè)備

簡要描述：鈣鈦礦鍍膜設(shè)備主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新日期：2026-01-14
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產(chǎn)品介紹：

鈣鈦礦鍍膜設(shè)備主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗工作，廣泛應(yīng)用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領(lǐng)域。

功能特點

樣品位于真空室上方，蒸發(fā)源位于真空室下方，向上蒸發(fā)鍍膜，且蒸發(fā)源帶有擋板裝置。
設(shè)有烘烤加熱功能，可在鍍膜過程中加熱樣品，最高烘烤加熱溫度為180℃。
設(shè)有斷水、斷電連鎖保護(hù)報警裝置及防誤操作保護(hù)報警裝置。

技術(shù)參數(shù)
鍍膜室	不銹鋼材料，采用方形前后開門結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板，腔室尺寸約為600mm×450mm×450mm
真空排氣系統(tǒng)	采用分子泵+機械泵系統(tǒng)
真空度	鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa
系統(tǒng)漏率	≤1×10-7Pa
蒸發(fā)源	安裝在真空室的下底上；有機蒸發(fā)源4個、容積5ml，2臺蒸發(fā)電源，可測溫、控溫，加熱溫度400℃，功率0.5KW；無機蒸發(fā)源4套、容積5ml，2臺蒸發(fā)電源，加熱電流300A，功率3.2KW；蒸發(fā)源擋板采用自動磁力控制方式控制其開啟
樣品架	安裝在真空室的上蓋上，可放置Ø120mm的樣品、載玻片，旋轉(zhuǎn)速度0-30rpm
加熱溫度	RT-180℃，測溫、控溫
膜厚控制儀	石英晶振膜厚控制儀，膜厚測量范圍0-999999Å